حافظه HBM3E Micron با طراحی 12-Hi، سرعت 9.2 گیگابیت در ثانیه، 1.2 ترابایت پهنای باند، ظرفیت را تا 36 گیگابایت افزایش می دهد.

Micron دارای شروع به نمونه برداری کرد راه حل حافظه “آماده تولید” HBM3E خود که دارای ظرفیت حداکثر 36 گیگابایت در طراحی 12-Hi است.

حافظه 12 Hi HBM3E Micron آماده تولید و نمونه برداری با ظرفیت 36 گیگابایت برای شرکای مانند NVIDIA است

اطلاعیه مطبوعاتی: Micron در خط مقدم نوآوری حافظه برای برآوردن این نیازها قرار دارد و اکنون HBM3E 12-high با قابلیت تولید را برای شرکای اصلی صنعت برای صلاحیت در سراسر اکوسیستم هوش مصنوعی ارسال می‌کند.

HBM3E 12-high 36GB پیشرو در صنعت Micron، علیرغم داشتن 50٪ ظرفیت DRAM بیشتر در بسته، مصرف انرژی قابل توجهی کمتری نسبت به رقبای ما ارائه می دهد که دارای 8-24 گیگابایتی هستند.

Micron HBM3E 12-high دارای ظرفیت چشمگیر 36 گیگابایتی است که 50 درصد افزایش نسبت به HBM3E 8-high فعلی دارد و به مدل‌های هوش مصنوعی بزرگتر مانند Llama 2 با 70 میلیارد پارامتر امکان می‌دهد روی یک پردازنده واحد اجرا شوند. این افزایش ظرفیت با اجتناب از بارگیری CPU و تاخیرهای ارتباطی GPU-GPU، زمان سریع‌تری برای بینش فراهم می‌کند.

Micron HBM3E 12-high 36GB مصرف انرژی قابل توجهی کمتری نسبت به راه حل های HBM3E 8-high 24GB رقبا ارائه می دهد. Micron HBM3E 12-high 36GB بیش از 1.2 ترابایت در ثانیه (TB/s) پهنای باند حافظه را با سرعت پین بیش از 9.2 گیگابیت در ثانیه (Gb/s) ارائه می دهد. این مزیت‌های ترکیبی  HBM3E حداکثر توان عملیاتی را با کمترین مصرف انرژی ارائه می‌کند و می‌تواند نتایج بهینه را برای مراکز داده پرمصرف تضمین کند.

به‌علاوه، Micron HBM3E 12-high دارای MBIST کاملاً قابل برنامه‌ریزی است که می‌تواند ترافیک نماینده سیستم را با سرعت مشخصات کامل اجرا کند، پوشش آزمایشی بهبودیافته‌ای را برای اعتبارسنجی سریع فراهم می‌کند که زمان بیشتری را برای عرضه به بازار فراهم می‌کند و قابلیت اطمینان سیستم را افزایش می‌دهد.

پشتیبانی از اکوسیستم قوی

Micron اکنون واحدهای HBM3E 12 با قابلیت تولید را برای شرکای کلیدی صنعت برای صلاحیت در سراسر اکوسیستم هوش مصنوعی ارسال می‌کند. این نقطه عطف 12 HBM3E، نوآوری های Micron را برای برآورده کردن نیازهای داده فشرده زیرساخت هوش مصنوعی در حال تکامل نشان می دهد.

Micron همچنین شریک افتخاری در TSMC’s 3DFabric Alliance است که به شکل‌دهی آینده نوآوری‌های نیمه‌رسانا و سیستم کمک می‌کند. ساخت سیستم هوش مصنوعی پیچیده است و ادغام HBM3E به همکاری نزدیک بین تامین‌کنندگان حافظه، مشتریان و پخش‌کننده‌های مونتاژ و آزمایش نیمه‌رساناهای برون‌سپاری شده (OSAT) نیاز دارد.